目前，東芝以實(shí)用化為目標(biāo)推進(jìn)的DNA芯片正在共同研究機(jī)構(gòu)內(nèi)接受評(píng)測(cè)。該DNA芯片的結(jié)構(gòu)采用的是將作為傳感器的大量電極（探針）排列在玻璃底板上，而檢測(cè)電路則設(shè)置在裝置一側(cè)。這樣，從DNA芯片到檢測(cè)電路的布線長(zhǎng)度就會(huì)變長(zhǎng)，噪音容易滲入，所以難以提高檢測(cè)靈敏度。因此，該公司開(kāi)發(fā)了利用CMOS工藝在傳感器電極的下方嵌入放大器及選擇器等檢測(cè)電路的CMOS型DNA芯片。 

　　CMOS型DNA芯片除了可以提高檢測(cè)靈敏度之外，還可以縮小芯片面積。原因是通過(guò)配備選擇器電路，使原來(lái)DNA芯片所需的信號(hào)導(dǎo)出用電極板的數(shù)量減少了1個(gè)數(shù)量級(jí)。因此，該公司以實(shí)現(xiàn)芯片面積減至原來(lái)的1/2為目標(biāo)，展開(kāi)了技術(shù)開(kāi)發(fā)。不過(guò)，由于在芯片上配備了電路，則出現(xiàn)了防水性差的問(wèn)題。檢測(cè)時(shí)，為了將含有DNA的溶液滴在芯片上利用，就需要開(kāi)發(fā)使電路免遭水侵蝕的技術(shù)。該芯片的實(shí)用化日期尚未確定，估計(jì)最快要到2010年度以后。 

　　此外，該公司還參考展出了從開(kāi)始工序到DNA放大工序全部實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)化的DNA檢測(cè)裝置的試制品。該公司原來(lái)的裝置需要利用熱循環(huán)設(shè)備給DNA增幅，操作比較煩雜。而此次通過(guò)在裝置內(nèi)部對(duì)DNA芯片進(jìn)行局部加熱，在芯片內(nèi)的封閉環(huán)境下放大DNA。之后的反應(yīng)、檢測(cè)及測(cè)量均按照原來(lái)的方式自動(dòng)進(jìn)行。